单晶锗
单晶锗是一种锗晶体的晶格结构，只有一个晶格，具有优良的光学和电学性质。
单晶锗在光电子领域应用广泛，如电子光学器件中的重要材料，被广泛应用于通讯、计算机和医疗器械等领域。
在红外探测方面，单晶锗具有高灵敏度、高速度和高稳定性的特点，被应用于红外成像和夜视仪器中。此外，单晶锗还可用于太阳能电池、热电堆和辐射传感器等方面。
单晶锗是一种具有优异光学性能的材料，其原子结构具有立方结构，每个锗原子被四个等距的锗原子环绕，形成了一种非常稳定的结构。这种结构使得单晶锗具有良好的电学和光学性能。在光学方面具有高载流子迁移率，锗的电子和空穴迁移率都比硅高，这使得在一些特定应用中，如高速电子设备中，单晶锗可以提供更高的速度。此外，单晶锗具有良好的光学性能，能带宽度适中，可以吸收并发射一定范围内的光，特别是在红外区域，这使得单晶锗在光电子学和光纤通信等领域有着广泛的应用。
此外，相比于硅，单晶锗的工作温度范围更宽，这使得它在某些需要在极端温度下工作的设备中有应用潜力。单晶锗还具有高折射率和低吸收率，使其成为制造高性能红外光学器件的理想材料之一。在红外光学器件和红外探测器件的制造中有着广泛的应用。总之，单晶锗是一种具有优异光学性能的材料，在光电子学、光纤通信等领域以及高速电子设备中有广泛的应用前景。
| 材料数据表Material Data | |
| 光学特性Optical Properties | |
| 透过范围Transmission Range | 2-15μm |
| 反射损耗Reflection Loss | 4.0028@10.6μm |
| 吸收系数Absorption Coefficienet | 1.3×10-3@3.8μm 3×10-2@10.6μm |
| 结构Structure | Cubic Crystal System |
| 解离面Cleavage Planes | <111> |
| 物理特性Physical Properties | |
| 密度Density[g/cm3] | 5.33 |
| 熔点Melting Point [℃] | 936 |
| 热导率ThermalConductivity [W/(m×K)] | 58.61 @ 293K |
| 热膨胀系数Thermal Expansion [10-6/K] | 6.1 @ 298K |
| 努氏硬度Knoop Hardness [kg/mm2] | 780 |
| 比热容Specific Heat Capacity [J/(kg×K)] | 310 |
| 介电常数Dielectric Constant | 16.6 @9.37 GHz |
| 杨氏模量Young's Modulus (E) [GPa] | 102.7 |
| 剪切模量Shear Modulus(G) [GPa] | 67 |
| 体积模量Bulk modulus(K) [GPa] | 77.2 |
| 泊松系数Poisson Coefficient | 0.28 |
| 化学特性mical Properties | |
| 溶解度Solubility / g/L | Inoluble |
| 分子量Molecular Weight / g/mol | 72.61 |
| 用途 | 相关行业 |
| 电子工业 | 晶体管、太阳能电池 |
| 光电子学 | 高速光探测器、光伏器件 |
| 红外镜头和其他光学元件 | 光学仪器、光学加工 |
| 高分辨率辐射探测器 | 核物理、天文学 |
| 晶体管和太阳能电池等领域 | 半导体器件、集成电路 |
| 定制规格 | |
| 材料名称Material | Single Crystals Germanium |
| 可提供尺寸Available size | 3-300mm |
| 生长方式Growing Method | CZ |
| 类型Type | N,P |
| 透过范围Transmittance range | 2-15μm |
| 晶体结构Crystal Structure | Monocrystalline |
| 晶向Orientation | <100>，<111> |
| 毛坯形状Blank shape | Round，rectangular，wedge，lens，step drilled，special-shaped |
单晶锗密度
5.323 g/cm³
单晶锗硬度
硬度为2.2至2.5，在常温下导热系数为34 W/m·K
单晶锗折射率
单晶锗的折射率不均匀系数为0.00005~0.0001
单晶锗的用途
1、半导体器件制造：可以用来制造高质量的半导体器件，如锗晶体管、锗二极管等。
2、红外光学：由于单晶锗对红外光具有良好的透明性，因此可以用于制造红外光学器件，如红外透镜、滤光片等。
3、辐射探测器：对辐射有很高的灵敏度，因此可以用来制造辐射探测器，如γ射线探测器、X射线探测器等。
4、晶体生长：可以作为晶体生长的基底，可以制备出其他半导体材料的单晶。
5、核反应堆：可以用于核反应堆的中子探测器，可以检测中子的流量和能量分布等信息。
