硅晶圆
硅晶圆是一种制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成集成电路和各种半导体器件。是以硅为材料制造的片状物体，具有高纯度、高密度、大规模的特点。
单晶硅是硅的单晶体，是一种比较活泼的非金属元素，具有基本完整的点阵结构。在提高集成电路性能方面具有重要作用。直径越大可制造的集成电路数量就越多，制造效率就越高。这对于生产具有复杂电路的集成电路和半导体器件至关重要。
1、制作光电器件：可以用于制作各种光电器件，如太阳能电池、激光器、光电探测器等。可以利用电学和光学性质，实现光信号的探测、转换和传输等功能。
2、光学通信：可以用于制造光纤通信中的光波导器件，如调制器、光放大器、光滤波器等。可以利用折射率和电学性质，实现光信号的调制、放大和滤波等功能。
3、光学传感：可以用于制造光学传感器，如光谱仪、光纤传感器、表面等离子体传感器等。可以利用透光性和光学性质，实现对气体、液体或固体等物质的成分、浓度和分布等情况的探测和分析。
| 材料数据表Material Data | |
| 光学特性Optical Properties | |
| 透过范围Transmission Range | 1.2-15μm |
| 折射率Refractive Index | 3.41776%@10μm |
| 反射损耗Reflection Loss | 46.1%@10μm |
| 结构Structure | Single crystal,synthetic |
| 解离面Cleavage Planes | <111> |
| 物理特性Physical Properties | |
| 密度Density[g/cm3] | 2.33 |
| 熔点Melting Point [℃] | 1414 |
| 热导率ThermalConductivity [W/(m×K)] | 163 @ 313K |
| 热膨胀系数Thermal Expansion [10-6/K] | 2.6 @ 293K |
| 努氏硬度Knoop Hardness [kg/mm2] | 1100 |
| 比热容Specific Heat Capacity [J/(kg×K)] | 712.8 |
| 介电常数Dielectric Constant | 13 @f= 9.37GHz |
| 杨氏模量Young's Modulus (E) [GPa] | 130.91 |
| 剪切模量Shear Modulus(G) [GPa] | 79.92 |
| 体积模量Bulk modulus(K) [GPa] | 101.97 |
| 泊松系数Poisson Coefficient | 0.266 |
| 化学特性Chemical Properties | |
| 溶解度Solubility / g/L | None |
| 分子量Molecular Weight / g/mol | 28.09 |
| 用途 | 相关行业 |
| 集成电路制造 | 集成电路制造中最重要的原材料之一，用于制造集成电路芯片。 |
| 半导体器件制造 | 用于制造半导体器件，如二极管、晶体管等。 |
| 传感器制造 | 用于制造传感器，如压力传感器、温度传感器等。 |
| 光电子器件制造 | 用于制造光电子器件，如激光器、探测器等。 |
| 太阳能电池制造 | 用于制造太阳能电池，是太阳能产业中最重要的原材料之一。 |
| 定制规格 | |
| 材料名称Material | silicon wafer |
| 可提供尺寸Available size | 3-300mm |
| 生长方式Growing Method | CZ,FZ |
| 类型Type | N,P |
| 透射率范围Transmittance range | 1-10μm |
| 晶体结构Crystal Structure | Monocrystalline |
| 晶向Orientation | <100>,<111>,<110> |
硅晶圆的原材料是什么
原材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
硅晶圆是干什么用的
是半导体材料，是制作各种电子器件的重要材料之一。硅晶圆是指用单晶硅制成的圆片状材料，具有高的纯度和完美的晶体结构，其制作工艺主要是通过单晶拉伸法或者锭子生长法来实现。在电子设备制造中有着广泛的应用，如计算机、移动电话、照相机、手表和各种传感器等电子器件。
晶圆是半导体吗
是半导体。晶圆是半导体材料，是制作各种电子器件的重要材料之一，半导体材料是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
