区熔硅
区熔硅在光学方面具有优良的性能。由于其具有高纯度、高密度和低杂质的特点，因此在红外波段具有高透过率和高折射率。此外导热性良好，热稳定性高，因此在高功率激光系统中得到了广泛应用。
在红外光学领域可以用于制造红外光学镜片、窗口和整流罩等部件。由于其高纯度和低杂质的特性，使得它在高精度和高灵敏度的红外光学系统中具有优越的性能。
此外还可以用于制造高功率激光器的光学镜片和整流罩，以及用于制造高精度和高稳定性的光学器件和仪器。总之，区熔FZ硅在光学方面具有优良的性能，适用于制造高精度和高稳定性的光学器件和仪器，以及用于高功率激光器的光学镜片和整流罩等部件。
1、具有较低的光学吸收系数。相比直拉法生长的硅单晶，区熔硅具有更低的杂质含量和更高的纯度，因此具有更低的光吸收系数。这使得区熔FZ硅在近红外波段和可见光波段都具有较好的透射性能，适用于制造高透射率的光学元件。
2、具有较高的光学均匀性和低缺陷密度。由于区熔法生长过程中不存在坩埚污染和籽晶污染等问题，因此可以获得具有较高光学均匀性和低缺陷密度的硅单晶。这有利于提高光学元件的可靠性和稳定性，同时降低光学元件的散射和吸收损失。
3、具有较高的机械性能和热学性能。它的杨氏模量较高，剪切弹性系数适中，努氏硬度也较高。这些机械性能使得区熔硅在光学系统中能够承受一定的压力和热量变化，保持稳定的性能。此外，区熔硅还具有较高的德拜温度和泊松比，表明其具有较好的热稳定性和弹性性能。
| 材料数据表Material Data | |
| 光学特性Optical Properties | |
| 透过范围Transmission Range | 1.2-15μm |
| 折射率Refractive Index | 3.41776%@10μm |
| 反射损耗Reflection Loss | 46.1%@10μm |
| 结构Structure | Single crystal,synthetic |
| 解离面Cleavage Planes | <111> |
| 物理特性Physical Properties | |
| 密度Density[g/cm3] | 2.33 |
| 熔点Melting Point [℃] | 1414 |
| 热导率ThermalConductivity [W/(m×K)] | 163 @ 313K |
| 热膨胀系数Thermal Expansion [10-6/K] | 2.6 @ 293K |
| 努氏硬度Knoop Hardness [kg/mm2] | 1100 |
| 比热容Specific Heat Capacity [J/(kg×K)] | 712.8 |
| 介电常数Dielectric Constant | 13 @f= 9.37GHz |
| 杨氏模量Young's Modulus (E) [GPa] | 130.91 |
| 剪切模量Shear Modulus(G) [GPa] | 79.92 |
| 体积模量Bulk modulus(K) [GPa] | 101.97 |
| 泊松系数Poisson Coefficient | 0.266 |
| 化学特性Chemical Properties | |
| 溶解度Solubility / g/L | None |
| 分子量Molecular Weight / g/mol | 28.09 |
| 用途 | 相关行业 |
| 电子元器件材料 | 集成电路芯片、光纤通信器件、高功率电子设备 |
| 太阳能电池片主要材料 | 太阳能电池制造 |
| 衬底材料 | 太阳能电池制造 |
| 高纯度多晶硅制造 | 液晶显示器、新能源、半导体等产品生产过程 |
| 定制规格 | |
| 材料名称Material | FZ-Silicon Crystals |
| 可提供尺寸Available size | 3-200mm |
| 生长方式Growing Method | FZ |
| 透过范围Transmittance range | 1-14μm |
| 晶体结构Crystal Structure | Monocrystalline |
| 晶向Orientation | <100>，<111>，<110> |
| 毛坯形状Blank shape | Round，rectangular，wedge，lens，step drilled，special-shaped |
| 报告Report | Compliance with ROHS and REACH reports |
区熔硅优点
1、制备工艺相对简单，设备要求相对较低，可以批量生产。
2、单晶硅的纯度较高，晶体结构较为完整，适用于高精度的电子器件制造。
3、可以制备大尺寸的单晶硅，适用于大规模的光伏电池制造。
区熔硅跟直拉硅区别
1、工艺流程：区熔硅的工艺流程相对复杂，需要较长的制备时间。在制备过程中，需要将硅料熔化，然后进行区域熔炼和结晶。而直拉硅的工艺流程相对简单，制备时间较短。在制备过程中，通过直拉法将硅料进行加热、熔化和结晶。
2、生长速度：直拉硅的生长速度较快，每小时可以生长10-30厘米。而区熔硅的生长速度较慢，每天只能生长1-3厘米。因此，直拉硅具有更高的生产效率。
3、单晶规格：区熔硅可以获得体积较大的单晶硅棒，适用于大规模的光伏电池制造等领域。而直拉硅则可以获得较长的单晶硅棒，适用于集成电路芯片、光纤通信器件等高精度电子器件的制造。
4、成本：由于直拉硅的设备简单，成本较低。而区熔硅则需要专用的高温炉和精密的温度控制系统，成本较高。
5、产品性能：区熔硅具有较高的纯度和电阻率，较低的氧含量和杂质含量，适用于高精度的电子器件制造。而直拉硅则具有较高的生产效率和较低的成本，适用于大规模的光伏电池制造等领域。
区熔硅和普通硅区别
区熔硅是一种高纯度、高性能的单晶硅，采用区熔法生产，具有纯度高、晶格完整性好、机械强度高、原子排列有序等优点。普通硅则是指以硅矿石为原料，经过还原剂还原后得到的多晶硅，具有杂质含量高、晶格缺陷多、机械强度低等缺点。
此外，区熔硅还具有电阻率高、载流能力强、热稳定性好等优点，适用于制造高精度、高功率的电子器件，如集成电路芯片、太阳能电池等。而普通硅则主要用于制造太阳能级多晶硅和半导体器件等。
区熔硅单晶为什么要掺杂
是为了改变硅的导电性能。掺杂元素可以改变硅的导电性能，例如磷、硼、锑、砷等元素可以引入空穴或电子，从而改变硅的导电性能。掺杂后的硅单晶可以应用于制造电子元器件，如集成电路芯片、太阳能电池等。
区熔硅纯度
区熔硅单晶具有高纯度、低杂质、均匀性好等特点，可以制造出高效率、长寿命的太阳能电池。目前，国际上通行的标准是要求硅的纯度应该在99.9999999%以上（即9N），这也是太阳能电池制造中所需的纯度要求。
